✕ ✕ English language

Импортозамещающие пассивные барьеры искрозащиты серии ЭнИ-БИС-150-Ех

Импортозамещающие пассивные барьеры искрозащиты серии ЭнИ-БИС-150-Ех
Информация

Предназначены для сопряжения контрольно-измерительного оборудования взрывобезопасной зоны с устройствами и приборами, находящимися во взрывоопасной зоне, в качестве разделительных элементов между искробезопасными и искроопасными цепями. Осуществляют ограничение электрической энергии, подаваемой во взрывоопасную зону.

Прозрачны для HART-протокола, частотных и импульсных сигналов.

Замена импортных аналогов.
Маркировка по взрывозащите [Ех ia Ga] IIC/IIВ или [Ех ib Gb] IIC/IIВ.
Монтаж на DIN-рейку или стену.
Минимальная погрешность при передаче сигнала.
Не требуют источника питания.
Применение:

передача унифицированных токовых сигналов 0...5, 4...20, 0...20 мА;
преобразование унифицированных токовых сигналов в сигнал 1…5 В;
подключение:
тензодатчиков по шестипроводной схеме;
вибродатчиков;
датчиков с выходными частотными сигналами;
датчиков с выходом типа «сухой контакт»;
датчиков с дискретным сигналом по стандарту NAMUR;
термопар и термосопротивлений;
устройств с входным управляющим унифицированным токовым сигналом;
электромагнитных клапанов (соленоидов);
светодиодных индикаторов.
Все барьеры серии одноканальные.

Выпускаются по ТУ 4218-007-51465965-2004

Добавить в корзину Добавлено Ошибка
Перейти в корзину
Описание

Шунт-диодные барьеры искрозащиты («барьеры на зенеровских диодах») — барьеры искробезопасности, состоящие из шунтирующих стабилитронов, последовательно включенных токоограничивающих резисторов и плавких предохранителей.

Подробно принцип действия шунт-диодных барьеров искробезопасности описан в разделе ЭнИ-БИС-100-Ех.

Барьеры соответствуют требованиям ГОСТ 31610.0, ГОСТ 31610.11 для подгрупп IIB, IIC.

Модельный ряд барьеров серии ЭнИ-БИС-150-Ех



Основные технические характеристики, характеристики взрывозащиты

Наименование Маркировка Uвх.max, В Iпр, мА Rмax, Oм Um, В Uо, В Iо, мА Pо, Вт Со, мкФ Lо, мГн
IIС IIB IIC IIB
ЭнИ-БИС-150-Ex-АС [Ех ia Ga] IIC/IIВ 8,5 40 1539 250 13 9 0,03 0,32 0,63 438 1316,9
8,5 40 1539 13 9 0,03 0,32 0,63 438 1316,9
ЭнИ-БИС-151-Ex-DC(+) [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 6,14 4,2 12,6
8 40 96 10 200 0,5 0,53 1,07 0,88 2,7
ЭнИ-БИС-151-Ех-DC(+)-R250 [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 6,14 4,2 12,6
8 40 96 10 200 0,5 0,53 1,07 0,88 2,7
ЭнИ-БИС-152-Ex-DC(–) [Ех ia Ga] IIC/IIВ 22 40 354 26 86 0,56 0,08 0,16 4,8 14,4
16 40 428 19,5 51 0,26 0,14 0,28 13,6 41
ЭнИ-БИС-153-Ex-АС [Ех ia Ga] IIC/IIВ 13,5 40 144 15,5 157 0,61 0,22 0,44 1,4 4,3
13,5 40 144 15,5 157 0,61 0,22 0,44 1,4 4,3
ЭнИ-БИС-154-Ex-DC(+) [Ех ia Ga] IIC/IIВ 17,2 40 176 21 142 0,75 0,12 0,24 1,7 5,3
17,2 40 176 21 142 0,75 0,12 0,24 1,7 5,3
ЭнИ-БИС-155-Ex-АС [Ех ia Ga] IIC/IIВ 6,9 40 120 9 122 0,27 0,66 1,32 2,3 7,2
6,9 40 120 9 122 0,27 0,66 1,32 2,3 7,2
ЭнИ-БИС-156-Ex-АС [Ех ia Ga] IIC/IIВ 15 40 150 18 147 0,66 0,16 0,33 1,6 4,9
15 40 150 18 147 0,66 0,16 0,33 1,6 4,9
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+) [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–) [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
23,5 40 диод 28 — — 0,07 0,14 4,2 12,6
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(–)-d [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
23,5 40 диод 28 — — 0,07 0,14 4,2 12,6
ЭнИ-БИС-157-Ex-DC(+)-d-P [Ех ia Ga] IIC/IIВ 23,5 40 280 28 110 0,77 0,07 0,14 2,9 11,7
23,5 40 диод 28 — — 0,07 0,14 2,9 11,7
ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(+) [Ех ib Gb] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
— — — — — — — — — —
ЭнИ-БИС-158-Ex-DC(–) [Ех ib Gb] IIC/IIВ 23,5 40 354 28 92 0,64 0,07 0,14 4,2 12,6
— — — — — — — — — —
ЭнИ-БИС-159-Ex-АС-Р [Ех ia Ga] IIC/IIВ 8,5 40 103 13 176 0,57 0,32 0,63 1,1 3,47
8,5 40 103 13 176 0,57 0,32 0,63 1,1 3,47

Возврат к списку
0
Отправить заявку